>> 酸鹼 Scrubber 設計方法之檢討

本期主題-酸鹼 Scrubber 設計方法之檢討

在半導體/光電產業應用裡,或者應該說,在更早之化工產業裡,所謂酸鹼Scrubber ,實在是一個十分平常的設施,其設計方法有什麼好檢討?

此一想法之起源,是源於業主要求95%之去除率開始,由於所有送審資料被質疑,事實上,也確實如此,因為似乎不管是那一家得標,他們所送出來的計算書,好像都一樣。

這不禁令好奇,到底該怎麼設計?

或者說,他們所謂專業廠商,其設計背後的想法是什麼?

本期電子報,擬探討此一議題。在台灣不斷對Scrubber去除率要求日益嚴苛的需求,或許提供另一種想法

 

>> 前言

項次 前言:

半導體廠 / 光電廠的 Scrubber與傳統化工廠的Scrubber其最大差異,在於入口濃度不一樣。

在工研院的研究中,就有指出,半導體廠 / 光電廠的 Scrubber入口濃度,其實相較於傳統化工廠而言是偏低的。

本期電子報之主題,其實也將從此一觀點入手,檢討目前市面上,那千篇一律的版本,究竟其合理性及理論基礎為何?

>> 設計方法檢討

項次 設計方法檢討:

首先,先回顧目前時下比較流行的方法 (事實上,好像幾乎每一家都差不多),請參看下圖,利用HOGNOG之乘積,取得一個關於Packing material所需要長度(高度)之基本概念。

圖一Packing material所需要長度(高度)之基本概念

但是追溯其設計構想,其實是從下圖之雙膜理論而來。

圖二雙膜理論概念圖

從雙膜理論,透過下圖之Control Volume,可以推求出Lt之基本公式。其中HOG是從實驗求得,而NOG則有另外一個計算式。

圖三NOG計算式1我們可以進一步展開NOG如下:

 方程式1

最後,當K=0時,上述基本計算式可以再簡化如下:

 方程式2

從以上來看,其主要之盲點在於實際之使用狀況中,K值不全然於整組Scrubber 裡頭是零。這基本上是一個很理想之假設。

不論從微觀之流場與質傳立場看,或是巨觀之Scrubber立場,將整個Scrubber之氣液交換過程視為全然之無限溶解度,顯然無法說服人。

我們能接受者,為Scrubber上方初灑下液體時,因藥劑劑量充足,故具有無限溶解度。全面性之無限溶解度,我們認為不合理。

 

>> 設計方法修正

項次 設計方法修正:

基於對傳統Scrubber設計方法盲點之認知,我們提出以下修正方式:

Scrubber上方初灑下液體時,因藥劑劑量充足,故具有無限溶解度。

此時 K = 0

Scrubber下方廢氣初進入時,因藥劑劑量已於上方使用,故相對於廢氣濃度是不足,我們視此時之 K 值不為零,為標準之亨利定律所主導。

接下來就是 K 值如何沿Scrubber變化了。請參考下圖。

圖四-K 值變化圖 (沿Scrubber)

我們用四種不同曲線來描述K 值是如何沿Scrubber變化,並用乘冪改變變化曲線之特性。

在提出修改之設計方法之前,我們必須先做如下之假設:

1.  水中溶解之Gas物質,因其已和酸鹼中和劑,形成反應,因此,視其為0,此如HFNaOH,形成NaF,因此,當形成中和反應,我們無法視其為HF,故只要水中持續有酸鹼中和劑,我們就視 xin0

2.  在目前Scrubber水洗過程裡,因酸鹼中和加入量適切,故水中的酸鹼中和劑是持續存在且足夠,因此 xin0是成立的。

3.  針對K值,我們做如下假設與修正,

 (1)  當酸鹼中和劑自上下灑之時,我們接受其無限溶解度之特性,即K=0之假設。

(2)   在廢氣入口處,我們無法接受無限溶解度之假設,雖然之前已假設其酸鹼中和劑仍存在足夠的量,但基於流場特性及濃度比,我們將視其僅形同只有單純的水,因此,此時是亨利定律適用。  

  基於以上假設,我們可以再將原始方程式簡化為:

 圖4-1-原始方程式簡化

>> 分析結果

 項次 分析結果:

利用上述概念,並再透過一些簡化,我們可以得到以下不同K值變化狀況下之結果,如下圖。

 圖五-不同K值變化狀況下之結果圖

其實可以發現,不同乘羃 (nn=1K值為Linear Approach n>1 K值為Power Law – Infinite Solubility  Approach n<1 K值為Power Law – Finite Solubility  Approach),不同K值變化特性,有著不同之結果。

>> 結論

 項次 結論:

我們針對目前Scrubber之設計方法提出我們的看法,特別是盲點處。同時,我們也提出另外一種想法,即利用K值之變化特性曲線來趨近於Scrubber之實際操作以供大家參考。